คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
512 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช - แอนด์ (SLC)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:166 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:64M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:700 ไมโครวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง
