ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำแบบ One Stop 8 solc N25Q128A11ESE40F TR ของแท้
คะแนนร้านค้า :5.0
(1 รีวิว)
คุณลักษณะ
แฟลช - ไม่เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
32ม. x 4การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
128 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม (IC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา:108 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:เอสพีไอ
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช - ไม่
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
32ม. x 4
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
ความถี่นาฬิกา
108 เมกะเฮิรตซ์
คุณสมบัติ
ชิปวงจรรวม (IC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)
สถานที่กำเนิด
China
หน่วยความจำขนาด
128 เมกะบิต
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 2V
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
เอสพีไอ
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
ขนาดแพคเกจต่อชุด
1X1X1 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 1,499 ชิ้น
฿41.73
>= 1,500 ชิ้น
฿29.62
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
N25Q128A11ESE40F ทรี
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
