บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม หน่วยความจำ 60 TFBGA MT46V16M16CY-6:K ชิปอิเล็กทรอนิกส์ TR
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
SDRAM - DDR แรม SDRAM - DDRเทคโนโลยี
ไม่มั่นคงประเภทหน่วยความจำ
16เอ็ม x 16การจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
MT46V16M16CY-6:K TRหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:256 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี DRAM 256Mbit PAR 60FBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปและม้วน (TR), เทปตัด (CT)
อุณหภูมิในการทำงาน:0°ค ~ 70°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี:60-TFBGA 60-TFBGA ทีเอฟบีจีเอ
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.3V ~ 2.7V
ความถี่นาฬิกา:167 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ:ดราม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
SDRAM - DDR แรม SDRAM - DDR
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
16เอ็ม x 16
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
MT46V16M16CY-6:K TR
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
256 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี DRAM 256Mbit PAR 60FBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR), เทปตัด (CT)
อุณหภูมิในการทำงาน
0°ค ~ 70°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
60-TFBGA 60-TFBGA ทีเอฟบีจีเอ
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.3V ~ 2.7V
ความถี่นาฬิกา
167 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
ดราม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 999 ชิ้น
฿158.10
>= 1,000 ชิ้น
฿113.45
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
