คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
4K บิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ท่อประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:EEPROM
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.8V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา:2 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:512 x 8, 256 x 16
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:10 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ไมโครไวร์
