บริการครบวงจรสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D TR 63 VFBGA หน่วยความจำ
คะแนนร้านค้า :5.0
(1 รีวิว)
คุณลักษณะ
แฟลช - แอนด์เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
128M x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
1กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวมไอซี
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช - แอนด์
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128M x 8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
ความถี่นาฬิกา
-
คุณสมบัติ
ชิปวงจรรวมไอซี
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
สถานที่กำเนิด
China
หน่วยความจำขนาด
1กิกะบิต
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.95V
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
ขนาดแพคเกจต่อชุด
1X1X1 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
100 - 3,099 ชิ้น
฿21.62
>= 3,100 ชิ้น
฿10.81
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
MT29F1G08ABBDAH4 อินเทอร์เน็ต: TR
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
