คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
2Tบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิ้นส่วนชิปอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช - แอนด์ (SLC)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:52 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256Gx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ยูเอฟเอส2.1
