find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
25%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, ตุรกี/ทูร์เคีย, เกาหลีใต้, อินเดีย, อาร์เจนตินา

บริการครบวงจรชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ชิปหน่วยความจำ MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR 221 WFBGA

ยังไม่มีรีวิว
฿28.65
100-3,099 ชิ้น
฿14.33
≥3,100 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR

ประเภทการติดตั้ง

การติดตั้งบนพื้นผิว

หน่วยความจำขนาด

128 กิกะบิต (NAND), 8 กิกะบิต (LPDDR3)

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี แฟลช แรม 128 กิกะบิต เอ็มเอ็มซี 221WFBGA

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
128 กิกะบิต (NAND), 8 กิกะบิต (LPDDR3)
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี แฟลช แรม 128 กิกะบิต เอ็มเอ็มซี 221WFBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-25°ค ~ 85°ซี
แพคเกจ/กรณี
221-WFBGA 221-WFBGA วีเอฟบีจีเอ
Series
-
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย, ระเหย
เทคโนโลยี
แฟลช - NAND, DRAM - LPDDR3
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา
933 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
16G x 8 (NAND), 256M x 32 (แรม LPDDR3)
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
เอ็มเอ็มซี, แอลพีดีอาร์แอม
รูปแบบหน่วยความจำ
แฟลช, แรม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค