find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤1h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
20%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, เกาหลีใต้, ตุรกี/ทูร์เคีย, อิตาลี, อินเดีย

บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม EPC2101 ไดโอดทรานซิสเตอร์ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ยังไม่มีรีวิว
฿258.19
100-3,099 ชิ้น
฿129.10
≥3,100 ชิ้น

จำนวน

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

EPC2101

ชื่อแบรนด์

Original

ลักษณะ

MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A ได

สถานที่กำเนิด

China

แพคเกจ/กรณี

ตาย

อุณหภูมิในการทำงาน

-40°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)

Shipping
Select shipping
ยอดรวมสินค้า
฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
รอการต่อรอง
ยอดรวมย่อย
฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
EPC2101
ชื่อแบรนด์
Original
ลักษณะ
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A ได
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
ตาย
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Series
อีแกน
รหัสวันที่ผลิต
ใหม่
Power-MAX
-
FET คุณลักษณะ
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
60 โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
9.5เอ, 38เอ
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
11.5 มิลลิโอห์ม @ 20 แอมป์, 5 โวลต์, 2.7 มิลลิโอห์ม @ 20 แอมป์, 5 โวลต์
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
2.7nC ที่ 5V, 12nC ที่ 5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
300pF ที่ 30V, 1200pF ที่ 30V
การกำหนดค่า
2 N-Channel (Half Bridge)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ
เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT), ดิจิ-รีล
เทคโนโลยี
GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)
การกำหนดค่า
2 ช่องสัญญาณ N (ฮาล์ฟบริดจ์)

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค