All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำแบบแผ่น8 VDFN EM004LXQBDH13ES1T บริการครบวงจรของแท้

ยังไม่มีรีวิว

คุณลักษณะ

ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
4 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:วงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:MRAM (แรมแม่เหล็ก)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.65V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา:133 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:512Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง
ขายหน่วย:รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด:1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม:0.100 กก.

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
การผลิตวันที่รหัส
ใหม่
หน่วยความจำขนาด
4 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
วงจรรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
MRAM (แรมแม่เหล็ก)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.65V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา
133 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
512Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค
1 - 3000 ชิ้น
฿296.58
>= 3001 ชิ้น
฿148.29

รูปแบบ

เลือกเลย

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ