คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
256 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวมไอซี
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SDRAM-DDR2
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา:400เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:16ม.x16
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:-
ขายหน่วย:รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด:1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม:0.100 กก.
