คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
4 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:FRAM (เฟอร์โรอิเล็กทริก RAM)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:3V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256Kx16
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:150 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
