All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้ หน่วยความจำ GD25B512MFFIRR

ยังไม่มีรีวิว

คุณลักษณะ

ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
512 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ไอซี ชิป วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:-
เทคโนโลยี:แฟลช - นอร์ (SLC)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:-
ความถี่นาฬิกา:133 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:64M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ควอด I/O, QPI
ขายหน่วย:รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด:1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม:0.100 กก.

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
การผลิตวันที่รหัส
ใหม่
หน่วยความจำขนาด
512 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ไอซี ชิป วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ
-
เทคโนโลยี
แฟลช - นอร์ (SLC)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
-
ความถี่นาฬิกา
133 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
64M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ควอด I/O, QPI

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค
1000 - 3999 ชิ้น
฿69.18
>= 4000 ชิ้น
฿34.67

รูปแบบ

เลือกเลย

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ