find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
40%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, เกาหลีใต้, ตุรกี/ทูร์เคีย, อิตาลี, อินเดีย

IGT40R070D1ATMA1อิเล็กทรอนิกส์ PG-HSOF-8-3ทรานซิสเตอร์ดั้งเดิม

ยังไม่มีรีวิว
฿28.78
100-3,099 ชิ้น
฿14.39
≥3,100 ชิ้น

จำนวน

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

IGT40R070D1ATMA1

ชื่อแบรนด์

Original

ลักษณะ

GAN ไฮโวลต์

สถานที่กำเนิด

China

แพคเกจ/กรณี

PG-HSOF-8-3 พีจี-เอชเอสโอเอฟ-8-3

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)

Shipping
Select shipping
ยอดรวมสินค้า
฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
รอการต่อรอง
ยอดรวมย่อย
฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
IGT40R070D1ATMA1
ชื่อแบรนด์
Original
ลักษณะ
GAN ไฮโวลต์
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
PG-HSOF-8-3 พีจี-เอชเอสโอเอฟ-8-3
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Series
คูลแกน
รหัสวันที่ผลิต
ใหม่
FET ประเภท
N-Channel
FET คุณลักษณะ
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
๔๐๐ โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
31เอ (ทีซี)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
1.6V @ 2.6mA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
382 pF @ 320 โวลต์
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
-
VGS (MAX)
-10 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ
จำนวนมาก
ประเภท FET
เอ็น-แชนแนล
เทคโนโลยี
GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค