คุณลักษณะ
C3M0065100Kหมายเลขรุ่น
TRANSISTORชนิด
throught หลุมประเภทแพคเกจ
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4Lลักษณะ
Chinaสถานที่กำเนิด
TO-247-4แพคเกจ/กรณี
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
Series:C3M
D/c:15V
ใบสมัคร:อุตสาหกรรม
ประเภทผู้ผลิต:ตัวแทน
Media ม:เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):35A
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):35 nC @ 15 V
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:78mOhm @ 20A, 15V
Current-Collector CUTOFF (MAX):35A (Tc)
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:3.5V @ 5mA
Power-MAX:113.5 W
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน:5011 pF
ประเภทการติดตั้ง:ผ่านรู
FET ประเภท:MOSFETs
FET คุณลักษณะ:ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SIC)
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):C3M0065100K
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C:C3M0065100K
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs:C3M0065100K
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:C3M0065100K
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:C3M0065100K
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:660 pF @ 600 V
ความถี่:C3M0065100K
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์):C3M0065100K
รูปเสียงรบกวน:C3M0015065K
Power-เอาต์พุต:C3M0065100K
แรงดันไฟฟ้า:C3M0065100K
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON):C3M0065100K
VGS (MAX):C3M0065100K
IGBT ประเภท:C3M0065100K
การกำหนดค่า:เดี่ยว
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC:C3M0065100K
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE:C3M0065100K
อินพุต:C3M0065100K
NTC Thermistor:C3M0065100K
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS):C3M0065100K
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0):C3M0065100K
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX:C3M0065100K
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id:C3M0065100K
ความต้านทาน-RDS (On):C3M0065100K
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต:C3M0065100K
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT):C3M0065100K
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao):C3M0065100K
Current-Valley (IV):C3M0065100K
Current-Peak:C3M0065100K
ประเภททรานซิสเตอร์:SiC MOSFETs
ประเภทการติดตั้ง:ผ่านรู
Type:Field-Effect Transistor
Package / Case:TO-220-3
Series:STripFE
D/C:Newest
Payment:Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Package:Reel
Configuration:Single
Product Name:Transistor IC Electronic Component
Shipping BY:DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Service:Bom List
ขายหน่วย:รายการเดียว
