แผ่นหน่วยความจำ8 WDFN ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ GD25LR128EWIGR
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
แฟลช - นอร์ (SLC)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
16M x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
128 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:บอม เซอร์วิส อิเล็กทรอนิกส์ คอมโพเนนต์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.65V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา:200เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช - นอร์ (SLC)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
16M x 8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
128 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
บอม เซอร์วิส อิเล็กทรอนิกส์ คอมโพเนนต์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.65V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา
200เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
3,000 - 5,999 ชิ้น
฿27.56
>= 6,000 ชิ้น
฿13.78
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
GD25LR128EWIGR จีดี25แอลอาร์128อีวีจีอาร์
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
