คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
16 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SRAM - อะซิงโครนัส
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:3V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:1 ม. x 16
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:10 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
