find similar
Shenzhen By Technology Co., Ltd. logo
Shenzhen By Technology Co., Ltd.
CN2 ปี
4.9/5(27)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
15%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สวิตเซอร์แลนด์, เกาหลีใต้, บราซิล, สหรัฐอเมริกา, ไทย

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

ให้บริการตัวแทนจำหน่าย 2SC1623 L5 NPN BJT 135 ที่ 1mA 6V 250MHz FT 50V VCEO 100nA ICBO 200mW PD 2SC1623-L5 SOT-23 แบบม้วนเทป

ยังไม่มีรีวิว
฿0.6869
50-4,999 ชิ้น
฿0.3435
≥5,000 ชิ้น
ราคาตัวอย่างสินค้า :฿1.38
สเปค

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

YJL2301G

ชนิด

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ชนิดเอ็นพีเอ็น

ชื่อแบรนด์

2SC1623 L5

ประเภทแพคเกจ

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ชนิดเอ็นพีเอ็น

ลักษณะ

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ชนิด NPN รุ่น 2SC1623 L5

สถานที่กำเนิด

China

การวิเคราะห์และวิจัยเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์นี้
คำนวณต้นทุนและกำไรขั้นต้น
Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การส่งคืนง่าย

ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
YJL2301G
ชนิด
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ชนิดเอ็นพีเอ็น
ชื่อแบรนด์
2SC1623 L5
ประเภทแพคเกจ
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ชนิดเอ็นพีเอ็น
ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ชนิด NPN รุ่น 2SC1623 L5
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
เอสโอที-23
อุณหภูมิในการทำงาน
ช่วง OT มาตรฐาน
Series
2SC1623 แอล5
รหัสวันที่ผลิต
สุ่ม หรือ ติดต่อ
ใบสมัคร
เอ็นพีเอ็น บีเจที
ประเภทผู้ผลิต
ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก
อ้างอิง
การอ้างอิงโยงมาตรฐาน
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
ไอซีมาตรฐาน
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)
แรงดันพังทลายมาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
มาตรฐาน Vce ความเข้มข้น
Current-Collector CUTOFF (MAX)
กระแสตัดของตัวสะสมมาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
hFE มาตรฐาน
Power-MAX
กำลังไฟมาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
ความถี่มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
มาตรฐาน R1
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
มาตรฐาน R2
FET ประเภท
FET มาตรฐาน
FET คุณลักษณะ
FET มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
มาตรฐาน Vdss
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
รหัสมาตรฐาน
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
มาตรฐาน Rds เปิด
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
มาตรฐาน Vgs(th)
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
มาตรฐาน Qg
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
ระบบ CISS มาตรฐาน
ความถี่
ความถี่มาตรฐาน
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
พิกัดกระแสไฟฟ้ามาตรฐาน
รูปเสียงรบกวน
เสียงรบกวนต่ำ
Power-เอาต์พุต
กำลังขับมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า
แรงดันไฟฟ้ามาตรฐาน
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
แรงดันไฟฟ้ามาตรฐาน
VGS (MAX)
มาตรฐาน Vgs
IGBT ประเภท
IGBT มาตรฐาน
การกำหนดค่า
ตรวจสอบเอกสารข้อมูล
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
เวคมาตรฐาน เปิด
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
มาตรฐาน Cies
อินพุต
อินพุตมาตรฐาน
NTC Thermistor
มาตรฐาน NTC
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
มาตรฐาน V(BR)GSS
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
มาตรฐาน Idss
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
รหัสมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
VGS มาตรฐานปิด
ความต้านทาน-RDS (On)
ความต้านทานมาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
แรงดันไฟฟ้ามาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
มาตรฐาน Vt
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
มาตรฐานอีเกา
Current-Valley (IV)
มาตรฐาน IV
Current-Peak
กระแสไฟสูงสุดมาตรฐาน
ประเภททรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งมาตรฐาน
หมายเลขชิ้นส่วน
2SC1623 แอล5
บรรจุภัณฑ์
ม้วนเทป
อัตราขยายกระแสตรง
135 ที่ 1mA,6V
ความถี่การเปลี่ยนผ่าน
250 เมกะเฮิรตซ์
แรงดันอิมิตเตอร์-คอลเล็กเตอร์
50 โวลต์
กระแสตัดของตัวสะสม
100 นาโนแอมป์
การกระจายพลังงาน
200 มิลลิวัตต์
แหล่งผลิต
จีน

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
6X6X3 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.01 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง

BSP452HUMA1 MOSFETs - Single N-Channel 60V 100mA