find similar

ใหม่ต้นฉบับ TC58NYG2S0HBAI4 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB

ยังไม่มีรีวิว
฿3.43
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 1 หน่วย
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

OTHER

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

TC58NYG2S0HBAI4

ชนิด

ทีเอฟบีจีเอ 63 9x11

ประเภทการติดตั้ง

ทีเอฟบีจีเอ 63 9x11

สถานที่กำเนิด

Other

ลักษณะ

แฟลช NAND

Shipping
Select shipping

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
OTHER
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
TC58NYG2S0HBAI4
ชนิด
ทีเอฟบีจีเอ 63 9x11
ประเภทการติดตั้ง
ทีเอฟบีจีเอ 63 9x11
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
แฟลช NAND
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ทีเอฟบีจีเอ 63 9x11
ฟังก์ชัน
ไอซี
ใบสมัคร
ไอซี
อุณหภูมิในการทำงาน
ทีเอฟบีจีเอ 63 9x11
แพคเกจ/กรณี
อื่นๆ
Series
4 กิกะบิต
คุณสมบัติ
TC58NYG2S0HBAI4 ทีซี58เอ็นวายจี2เอส0เอชบีเอไอ4
อ้างอิง
อื่นๆ
เคมีแบตเตอรี่
4 กิกะบิต
ประเภทหน่วยความจำ
แฟลช NAND
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ
แฟลช NAND
Current Supply (MAX)
1.7 โวลต์ 1.95 โวลต์

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
5X5X5 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.2 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค