find similar

ใหม่ต้นฉบับ TC58NYG0S3HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB

ยังไม่มีรีวิว
฿34.31
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 1 หน่วย
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

OTHER

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

TC58NYG0S3HBAI6

ชนิด

วีเอฟบีจีเอ 67

ประเภทการติดตั้ง

วีเอฟบีจีเอ 67

สถานที่กำเนิด

Other

ลักษณะ

แฟลช NAND

Shipping
Select shipping

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
OTHER
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
TC58NYG0S3HBAI6
ชนิด
วีเอฟบีจีเอ 67
ประเภทการติดตั้ง
วีเอฟบีจีเอ 67
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
แฟลช NAND
ประเภท บรรจุภัณฑ์
วีเอฟบีจีเอ 67
ฟังก์ชัน
ไอซี
ใบสมัคร
ไอซี
อุณหภูมิในการทำงาน
วีเอฟบีจีเอ 67
แพคเกจ/กรณี
อื่นๆ
Series
1 กิกะบิต
คุณสมบัติ
TC58NYG0S3HBAI6 ทีซี58เอ็นวายจี0เอส3เอชบีเอไอ6
อ้างอิง
อื่นๆ
เคมีแบตเตอรี่
1 กิกะบิต
ประเภทหน่วยความจำ
แฟลช NAND
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ
แฟลช NAND
Current Supply (MAX)
1.7 โวลต์ 1.95 โวลต์

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
5X5X5 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.2 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค