Niko Industry INC

US1 ปี

≤8h

เวลาในการตอบกลับ

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

ใหม่ต้นฉบับ TC58NVG2S0HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB

Name: ใหม่ต้นฉบับ Tc58nvg2s0hbai6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช Nand ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ Pcb - Buy Product on Alibaba.com
Brand: Niko Industry INC
SKU: 1601940167647
Price: 0.1 USD
Availability: InStock

ยังไม่มีรีวิว

฿3.44

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 1 หน่วย

รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

OTHER

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

TC58NVG2S0HBAI6

ชนิด

วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8

ประเภทการติดตั้ง

วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8

สถานที่กำเนิด

Other

ลักษณะ

แฟลช NAND

Shipping

Select shipping

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

OTHER

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

TC58NVG2S0HBAI6

ชนิด

วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8

ประเภทการติดตั้ง

วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

แฟลช NAND

ประเภท บรรจุภัณฑ์

วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8

ฟังก์ชัน

ไอซี

ใบสมัคร

ไอซี

อุณหภูมิในการทำงาน

วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8

แพคเกจ/กรณี

อื่นๆ

Series

4 กิกะบิต

คุณสมบัติ

TC58NVG2S0HBAI6 ทีซี58เอ็นวีจี2เอส0เอชบีเอไอ6

อ้างอิง

อื่นๆ

เคมีแบตเตอรี่

4 กิกะบิต

ประเภทหน่วยความจำ

แฟลช NAND

อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ

แฟลช NAND

Current Supply (MAX)

2.7 โวลต์ 3.6 โวลต์

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

สินค้าชิ้นเดียว

แพคเกจเดียวขนาด

5X5X5 ซม.

เดี่ยวน้ำหนักรวม

0.2 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์

แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม

จำนวน (หน่วย )	1 - 1	> 1
ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน)	14	รอการต่อรอง

ใหม่ต้นฉบับ TC58NVG2S0HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB

คุณสมบัติที่สำคัญ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

คุณสมบัติที่สำคัญ

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง