find similar

ใหม่ต้นฉบับ TC58BVG1S3HTAI0 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB

ยังไม่มีรีวิว
฿3.44
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 1 หน่วย
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

OTHER

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

TC58BVG1S3HTAI0

ชนิด

ทีเอสโอพีไอ 48

ประเภทการติดตั้ง

ทีเอสโอพีไอ 48

สถานที่กำเนิด

Other

ลักษณะ

แฟลช NAND

Shipping
Select shipping

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
OTHER
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
TC58BVG1S3HTAI0
ชนิด
ทีเอสโอพีไอ 48
ประเภทการติดตั้ง
ทีเอสโอพีไอ 48
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
แฟลช NAND
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ทีเอสโอพีไอ 48
ฟังก์ชัน
ไอซี
ใบสมัคร
ไอซี
อุณหภูมิในการทำงาน
ทีเอสโอพีไอ 48
แพคเกจ/กรณี
อื่นๆ
Series
2 กิกะบิต
คุณสมบัติ
TC58BVG1S3HTAI0 ทีซี58บีวีจี1เอส3เอชทีเอไอ0
อ้างอิง
อื่นๆ
เคมีแบตเตอรี่
2 กิกะบิต
ประเภทหน่วยความจำ
แฟลช NAND
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ
แฟลช NAND
Current Supply (MAX)
2.7 โวลต์ 3.6 โวลต์

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
5X5X5 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.2 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค