find similar

ใหม่ต้นฉบับ TC58BVG0S3HBAI6 ชิปจัดเก็บหน่วยความจำแฟลช NAND ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์สำหรับ PCB

ยังไม่มีรีวิว
฿3.44
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 1 หน่วย
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

OTHER

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

TC58BVG0S3HBAI6

ชนิด

วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8

ประเภทการติดตั้ง

วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8

สถานที่กำเนิด

Other

ลักษณะ

แฟลช NAND

Shipping
Select shipping

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
OTHER
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
TC58BVG0S3HBAI6
ชนิด
วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8
ประเภทการติดตั้ง
วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
แฟลช NAND
ประเภท บรรจุภัณฑ์
วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8
ฟังก์ชัน
ไอซี
ใบสมัคร
ไอซี
อุณหภูมิในการทำงาน
วีเอฟบีจีเอ 67 6.5x8
แพคเกจ/กรณี
อื่นๆ
Series
1 กิกะบิต
คุณสมบัติ
TC58BVG0S3HBAI6 ทีซี58บีวีจี0เอส3เอชบีเอไอ6
อ้างอิง
อื่นๆ
เคมีแบตเตอรี่
1 กิกะบิต
ประเภทหน่วยความจำ
แฟลช NAND
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ
แฟลช NAND
Current Supply (MAX)
2.7 โวลต์ 3.6 โวลต์

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
5X5X5 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.2 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค