คุณลักษณะ
NVBLS1D2N08XTXGหมายเลขรุ่น
NVBLS1D2N08XTXGชนิด
onsemiชื่อแบรนด์
ผ่านรูประเภทแพคเกจ
NVMFWS1D1N04XMT1Gลักษณะ
ORIGINALสถานที่กำเนิด
แพคเกจ/กรณี:H-PSOF-8L
อุณหภูมิในการทำงาน:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Series:NVMFWS1D1N04XM
D/c:ใหม่ล่าสุด
ใบสมัคร:วัตถุประสงค์ทั่วไป
ประเภทผู้ผลิต:ผู้ผลิตดั้งเดิม, ODM, ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก
อ้างอิง:ทรานซิสเตอร์
Media ม:เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย, EDA/CAD
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX):มาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:มาตรฐาน
Power-MAX:มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน:มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง:มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1):มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2):มาตรฐาน
FET ประเภท:N-Channel
FET คุณลักษณะ:มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):75โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C:80A (TC)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs:11mOhm @ 40A 10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @@ 250ua
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:160nC @ @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:3700pF @@ 25V
ความถี่:มาตรฐาน
รูปเสียงรบกวน:มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า:มาตรฐาน
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON):10V
VGS (MAX):± 20V
ประเภทการติดตั้ง:ผ่านรู
ขายหน่วย:รายการเดียว
