find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
20%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, เกาหลีใต้, ตุรกี/ทูร์เคีย, อินเดีย, อาร์เจนตินา

โมดูล CAB006M12GM3T ทรานซิสเตอร์ ชิปอิเล็กทรอนิกส์ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม

ยังไม่มีรีวิว
฿6,911.61
100-3,099 ชิ้น
฿3,455.98
≥3,100 ชิ้น

จำนวน

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

CAB006M12GM3T

ชื่อแบรนด์

Original

ลักษณะ

โมดูล MOSFET 2N-CH 1200V 200A

สถานที่กำเนิด

China

แพคเกจ/กรณี

โมดูล

อุณหภูมิในการทำงาน

-40°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)

Shipping
Select shipping
ยอดรวมสินค้า
฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
รอการต่อรอง
ยอดรวมย่อย
฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
CAB006M12GM3T
ชื่อแบรนด์
Original
ลักษณะ
โมดูล MOSFET 2N-CH 1200V 200A
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
โมดูล
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Series
วูล์ฟแพ็ค
รหัสวันที่ผลิต
ใหม่
Power-MAX
-
FET คุณลักษณะ
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
1200 โวลต์ (1.2 กิโลโวลต์)
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
200เอ (ทีเจ)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
6.9mOhm @ 200A, 15V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
3.6V @ 69mA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
708nC @ 15V 708 นาโนคูลอมบ์ @ 15 โวลต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
20400pF ที่ 800V
การกำหนดค่า
2 N-Channel (Half Bridge)
ประเภทการติดตั้ง
ตัวยึดแชสซี
แพ็คเกจ
กล่อง
เทคโนโลยี
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)
การกำหนดค่า
2 ช่องสัญญาณ N (ฮาล์ฟบริดจ์)

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค