find similar
≤3h
เวลาในการตอบกลับ
≥92%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
27%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สวีเดน, สโลวาเกีย, ไทย, สหรัฐอเมริกา, อินเดีย

W979H2KBVX2I หน่วยความจำ TR 134 VFBGA ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ได้รับการอนุญาตจากผู้จัดจำหน่าย

ยังไม่มีรีวิว
฿49.18
3,500-6,499 ชิ้น
฿24.59
≥6,500 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

W979H2KBVX2I TR

ประเภทการติดตั้ง

การติดตั้งบนพื้นผิว

หน่วยความจำขนาด

512 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี DRAM 512Mbit HSUL 12 134VFBGA

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
W979H2KBVX2I TR
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
512 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี DRAM 512Mbit HSUL 12 134VFBGA
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (ทีซี)
แพคเกจ/กรณี
134-วีเอฟบีจีเอ
Series
-
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
SDRAM - LPDDR2-S4B สำหรับมือถือ
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา
400 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
16เอ็ม x 32
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
HSUL_12 เอชเอสยูแอล_12
รูปแบบหน่วยความจำ
ดราม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค