ชิปเมมโมรี่ W632GU8NB-12 78ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ VFBGA มีในสต็อก
ชิปเมมโมรี่ W632GU8NB-12 78ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ VFBGA มีในสต็อกยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
2กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
ไอซี ชิป วงจรรวมคุณสมบัติ
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SDRAM - DDR3L
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.283V ~ 1.45V
ความถี่นาฬิกา:800เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
2กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ไอซี ชิป วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
SDRAM - DDR3L
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.283V ~ 1.45V
ความถี่นาฬิกา
800เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
256M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
อีซี่รีเทิร์น
242 - 3,241 ชิ้น
฿48.91
>= 3,242 ชิ้น
฿24.54
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
W632GU8NB 12 ดับเบิลยู632จียู8เอ็นบี 12
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
