SST25WF080-75-4I-SAF หน่วยความจำชิป8 solc ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ช่องผู้ผลิต
คะแนนร้านค้า :4.5
(2 รีวิว)
คุณลักษณะ
แฟลชเทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
1 ม. x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
8 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ท่อ
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.65V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา:75 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:25 ไมโครวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:เอสพีไอ
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
1 ม. x 8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
ความถี่นาฬิกา
75 เมกะเฮิรตซ์
คุณสมบัติ
ชิปวงจรรวม
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ท่อ
สถานที่กำเนิด
China
หน่วยความจำขนาด
8 เมกะบิต
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
25 ไมโครวินาที
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.65V ~ 1.95V
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
เอสพีไอ
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
ขนาดแพคเกจต่อชุด
1X1X1 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
500 - 3,499 ชิ้น
฿27.90
>= 3,500 ชิ้น
฿14.03
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
SST25WF080 75 4I ซาวน่า
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
