ชิปอิเล็กทรอนิกส์ Memory M10162040108X0PWAY 8 WDFN แบบมีแผ่นรองรับภายนอก ของแท้
ชิปอิเล็กทรอนิกส์ Memory M10162040108X0PWAY 8 WDFN แบบมีแผ่นรองรับภายนอก ของแท้ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
MRAM (แรมแม่เหล็ก)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
4 ม. x 4การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
16 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ถาด
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.71V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา:108 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:-
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
MRAM (แรมแม่เหล็ก)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
4 ม. x 4
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
16 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.71V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา
108 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
-
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
225 - 3,224 ชิ้น
฿592.52
>= 3,225 ชิ้น
฿296.34
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
M10162040108X0PWAY เอ็ม10162040108X0PWAY
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
