find similar
5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
33%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, ตุรกี/ทูร์เคีย, เกาหลีใต้, อินเดีย, อาร์เจนตินา

หน่วยความจำ EM064LXQADG13ES2R 8 VDFN ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แบบเปิดโล่ง ตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต

ยังไม่มีรีวิว
฿1,401.12
2,000-4,999 ชิ้น
฿700.73
≥5,000 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

EM064LXQADG13ES2R

ประเภทการติดตั้ง

การติดตั้งบนพื้นผิว

หน่วยความจำขนาด

64 เมกะบิต

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี แรม 64 เมกะบิต XSPI 8DFN

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
EM064LXQADG13ES2R
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
64 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี แรม 64 เมกะบิต XSPI 8DFN
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 105°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
8-VDFN พร้อมแผ่นระบายความร้อน
Series
อีเอ็มเอ็กซ์เอ็กซ์แอลเอ็กซ์
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
MRAM (แรมแบบแม่เหล็ก)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.65V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา
200 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
8เอ็ม x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ควอด I/O
รูปแบบหน่วยความจำ
แรม

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค