หน่วยความจำ DS1245YP-70IND+ 34 โมดูลพาวเวอร์แคป ช่องจำหน่ายส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์จากผู้ผลิต
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
128,000 x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
DS1245YP-70IND+หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี NVSRAM 1 เมกะบิต แบบคู่ขนาน 34 พิน PWRCAP
ประเภท บรรจุภัณฑ์:ถาด
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี:โมดูล 34-PowerCap
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:70 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ:เอ็นวีแรม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
NVSRAM (หน่วยความจำ SRAM แบบไม่ลบเลือน)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128,000 x 8
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
DS1245YP-70IND+
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี NVSRAM 1 เมกะบิต แบบคู่ขนาน 34 พิน PWRCAP
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
โมดูล 34-PowerCap
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
70 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
เอ็นวีแรม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
40 - 3,039 ชิ้น
฿1,082.87
>= 3,040 ชิ้น
฿541.61
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
