คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
1Gbit (NAND), 1Gbit (LPDDR2)หน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ถาดประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิ้นส่วนและส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย, ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช - แอนด์, แรม - LPDDR2
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา:400เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:-
