ชิปหน่วยความจำ BQ4011MA-150 28 DIP โมดูลอิเล็กทรอนิกส์ ชิ้นส่วนแท้
ยังไม่มีรีวิว
5Chips Tech Limited
HK1 ปีบน Alibaba.com
5/5.0(2 รีวิว)อัตราการสั่งซื้อซ้ำ: 12%เวลาในการตอบกลับ ≤ 4hอัตราการจัดส่งตรงเวลา ≥ 92%
คุณลักษณะ
NVSRAM (SRAM แบบไม่ลบเลือน)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
32Kx8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
256 กิโลบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:หลอด, หลอด
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:4.75V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา:-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:150 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
NVSRAM (SRAM แบบไม่ลบเลือน)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
32Kx8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
256 กิโลบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
หลอด, หลอด
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
4.75V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา
-
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
150 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
16 - 3,015 ชิ้น
฿322.72
>= 3,016 ชิ้น
฿161.45
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
BQ4011MA 150 บีคิว4011เอเอ็มเอ 150
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
