หน่วยความจำ AS25F304MD-10S1INR 8 SOlC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ BOM ไอซี มีสินค้าในสต็อก
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
แฟลช - นอร์ (SLC)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
2M x 2, 4M x 1การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
4 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:104 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:75 ไมโครวินาที, 2 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ดูอัล I/O
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช - นอร์ (SLC)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
2M x 2, 4M x 1
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
4 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
104 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
75 ไมโครวินาที, 2 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ดูอัล I/O
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
3,000 - 5,999 ชิ้น
฿14.94
>= 6,000 ชิ้น
฿7.47
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
AS25F304MD 10S1INR เอเอส25เอฟ304เอ็มดี 10เอส1ไอเอ็นอาร์
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
