ชิปหน่วยความจำ84 FBGA MT47H16M16BG-3E:B ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
256 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
กล่องประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์คุณสมบัติ
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SDRAM-DDR2
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา:333 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:16ม.x16
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
256 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
กล่อง
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
SDRAM-DDR2
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.9V
ความถี่นาฬิกา
333 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
16ม.x16
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
15 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1,000 - 3,999 ชิ้น
฿116.87
>= 4,000 ชิ้น
฿58.44
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
MT47H16M16BG 3E:B เอ็มที47เอช16เอ็ม16บีจี 3E:B
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
