หน่วยความจำ8 WDFN แผ่นสัมผัส W25M161AWEIT TR ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับบริการครบวงจร
หน่วยความจำ8 WDFN แผ่นสัมผัส W25M161AWEIT TR ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับบริการครบวงจร
หน่วยความจำ8 WDFN แผ่นสัมผัส W25M161AWEIT TR ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับบริการครบวงจร
หน่วยความจำ8 WDFN แผ่นสัมผัส W25M161AWEIT TR ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับบริการครบวงจร
หน่วยความจำ8 WDFN แผ่นสัมผัส W25M161AWEIT TR ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับบริการครบวงจร
หน่วยความจำ8 WDFN แผ่นสัมผัส W25M161AWEIT TR ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับบริการครบวงจร
find similar
5/5(2)
คะแนนร้านค้า
≤4h
เวลาในการตอบกลับ
≥96%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
33%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, สวีเดน, สโลวาเกีย, ญี่ปุ่น, ไทย

หน่วยความจำ8 WDFN แผ่นสัมผัส W25M161AWEIT TR ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับบริการครบวงจร

ยังไม่มีรีวิว
฿17.08
100-3,099 ชิ้น
฿8.54
≥3,100 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

W25M161AWEIT TR

ประเภทการติดตั้ง

การติดตั้งบนพื้นผิว

หน่วยความจำขนาด

16 เมกะบิต (FLASH-NOR), 1 กิกะบิต (FLASH-NAND)

สถานที่กำเนิด

China

ลักษณะ

ไอซี แฟลช 16 เมกะบิต SPI/QUAD 8WSON

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
W25M161AWEIT TR
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
16 เมกะบิต (FLASH-NOR), 1 กิกะบิต (FLASH-NAND)
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี แฟลช 16 เมกะบิต SPI/QUAD 8WSON
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
8-WDFN พร้อมแผ่นระบายความร้อน
Series
สปีแฟลช
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
แฟลช - NAND, แฟลช - NOR
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา
104 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
2M x 8 (แฟลช-NOR), 128M x 8 (แฟลช-NAND)
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
3 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ควอด I/O
รูปแบบหน่วยความจำ
แฟลช

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค