หน่วยความจำ8 UDFN แผ่นสัมผัส MX25U3232FZBI02ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับ
คะแนนร้านค้า :4.5
(2 รีวิว)
คุณลักษณะ
แฟลช - ไม่เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
4 ม. x 8การจัดระเบียบหน่วยความจำ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
32 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)
ใบสมัคร:หน่วยความจำ
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.65V ~ 2V
ความถี่นาฬิกา:133 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:40 ไมโครวินาที, 3 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ควอด I/O, QPI
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
แฟลช - ไม่
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
4 ม. x 8
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
ความถี่นาฬิกา
133 เมกะเฮิรตซ์
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและรีล (TR), เทปตัด (CT)
สถานที่กำเนิด
China
หน่วยความจำขนาด
32 เมกะบิต
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
40 ไมโครวินาที, 3 มิลลิวินาที
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.65V ~ 2V
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
SPI - ควอด I/O, QPI
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
ขนาดแพคเกจต่อชุด
1X1X1 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 4,999 ชิ้น
฿17.67
>= 5,000 ชิ้น
฿11.39
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
MX25U3232FZBI02 เอ็มเอ็กซ์25ยู3232เอฟแซดบีไอ02
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
