โมดูลหน่วยความจำ 28 DIP รุ่น DS1230Y-200IND+ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ มีสินค้าในสต็อก
คะแนนร้านค้า :5.0
(2 รีวิว)
คุณลักษณะ
ผ่านรูประเภทการติดตั้ง
หน่วยความจำแอปพลิเคชั่นที่ใช้งานได้
DS1230Y-200IND+หมายเลขรุ่น
Chinaสถานที่กำเนิด
Originalชื่อแบรนด์
โมดูล DIP 28 (0.600", 15.24 มม.)บรรจุภัณฑ์
ซีรีส์:หน่วยความจำ
อธิบาย:ไอซี NVSRAM 256KBIT พาร์ 28EDIP
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:32Kx8
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
ความถี่สัญญาณนาฬิกา:-
เวลาเข้าถึง:200 นาโนวินาที
คุณสมบัติที่สำคัญ
ประเภทการติดตั้ง
ผ่านรู
แอปพลิเคชั่นที่ใช้งานได้
หน่วยความจำ
หมายเลขรุ่น
DS1230Y-200IND+
ชื่อแบรนด์
Original
สถานที่กำเนิด
China
บรรจุภัณฑ์
โมดูล DIP 28 (0.600", 15.24 มม.)
ซีรีส์
หน่วยความจำ
อธิบาย
ไอซี NVSRAM 256KBIT พาร์ 28EDIP
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
32Kx8
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
ความถี่สัญญาณนาฬิกา
-
เวลาเข้าถึง
200 นาโนวินาที
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
ขนาดแพคเกจต่อชุด
1X1X1 ซม.
น้ำหนักสุทธิต่อชุด
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
1 - 3,000 ชิ้น
฿669.60
>= 3,001 ชิ้น
฿334.80
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
DS1230Y 200IND+ ดีเอส1230วาย 200อินด์+
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
