คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
16 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
ท่อประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:104 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:2 ม. x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:1.5 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:SPI - ช่องสัญญาณขาเข้า/ขาออกแบบสี่ช่อง
