5/5(2)
คะแนนร้านค้า
≤4h
เวลาในการตอบกลับ
≥96%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
33%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ
ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, สวีเดน, สโลวาเกีย, ญี่ปุ่น, ไทย
ชิ้นส่วนวงจรอิเล็กทรอนิกส์ของผู้ผลิต K6X1008C2D-TF55 หน่วยความจำ
ยังไม่มีรีวิว
฿42.35
100-3,099 ชิ้น
฿21.52
≥3,100 ชิ้น
รหัสวันที่ผลิต
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
K6X1008C2D-TF55
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
SRAM ASYNC ช้า 1M 128Kx8 5V 32
Shipping
Select shipping
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
การชำระเงินและการผ่อนชำระ
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชื่อแบรนด์
Original
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
K6X1008C2D-TF55
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หน่วยความจำขนาด
1 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
SRAM ASYNC ช้า 1M 128Kx8 5V 32
ประเภท บรรจุภัณฑ์
ถาด
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 85°ซี (TA)
แพคเกจ/กรณี
-
Series
-
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
SRAM - อะซิงโครนัส
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
4.5V ~ 5.5V
ความถี่นาฬิกา
-
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
128,000 x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
55 นาโนวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
รูปแบบหน่วยความจำ
เอสแรม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค