ชิ้นส่วนช่องสัญญาณผู้ผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ MB85RS2MTAPF-G-BCERE1 8 SOlC หน่วยความจำ
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
2 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:FRAM (เฟอร์โรอิเล็กทริก RAM)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:40 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:400 ไมโครวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:เอสพีไอ
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
การผลิตวันที่รหัส
ใหม่
หน่วยความจำขนาด
2 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
FRAM (เฟอร์โรอิเล็กทริก RAM)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
40 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
256Kx8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
400 ไมโครวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
เอสพีไอ
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1500 - 4499 ชิ้น
฿106.19
>= 4500 ชิ้น
฿53.18
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
MB85RS2MTAPF G บีซีเร1
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
