ช่องทางผู้ผลิต ซื้อออนไลน์ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MT29F4G01ABBFDWB-IT:F TR 8 UDFN หน่วยความจำ
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
4กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
ไอซี ชิป วงจรรวมคุณสมบัติ
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช - แอนด์ (SLC)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา:83 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:4จี x 1
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:เอสพีไอ
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
4กิกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ไอซี ชิป วงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
เทคโนโลยี
แฟลช - แอนด์ (SLC)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
1.7V ~ 1.95V
ความถี่นาฬิกา
83 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
4จี x 1
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
เอสพีไอ
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
2,000 - 4,999 ชิ้น
฿44.50
>= 5,000 ชิ้น
฿22.33
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
MT29F4G01ABBFDWB อิต:เอฟ ทรี
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
