คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
9 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ไอซี ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:SRAM - ซิงโครนัส, SDR
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:3.135V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:166 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:256K x 36
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
