คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
ใหม่การผลิตวันที่รหัส
1กิกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
คุณสมบัติ:ชิปวงจรรวม (IC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่ระเหย
เทคโนโลยี:แฟลช - นอร์ (SLC)
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:166 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:128M x 8
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:1.7 มิลลิวินาที
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ไฮเปอร์บัส
