ช่องทางผู้ผลิตซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ IS42S32200E-6BI-TR 90 TFBGA หน่วยความจำ
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
ส่วนประกอบและชิ้นส่วนชนิด
64 เมกะบิตหน่วยความจำขนาด
Chinaสถานที่กำเนิด
เทปแอนด์รีล (TR)ประเภท บรรจุภัณฑ์
หน่วยความจำใบสมัคร
ชิปวงจรรวมคุณสมบัติ
ประเภทหน่วยความจำ:ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี:เอสดีแรม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:3V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:166 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ:2 ม. x 32
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:ขนาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ส่วนประกอบและชิ้นส่วน
หน่วยความจำขนาด
64 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปแอนด์รีล (TR)
ใบสมัคร
หน่วยความจำ
คุณสมบัติ
ชิปวงจรรวม
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่มั่นคง
เทคโนโลยี
เอสดีแรม
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
3V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
166 เมกะเฮิรตซ์
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
2 ม. x 32
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
ขนาน
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
100 - 3099 ชิ้น
฿20.63
>= 3100 ชิ้น
฿10.32
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
IS42S32200E 6BI TR IS42S32200E 6BI TR ไอเอส42เอส32200อี 6บีไอ ทีอาร์
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การส่งคืนง่าย
ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
