find similar
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED logo
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
HK1 ปี
4.8/5(34)
คะแนนร้านค้า
≤3h
เวลาในการตอบกลับ
≥99%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
12%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: อินเดีย, แคนาดา, สหรัฐอเมริกา, เยอรมนี, บาห์เรน

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

IRFP150N ทรานซิสเตอร์ MOSFET กำลังสูงแบบ N-Channel TO-247 แพ็คเกจแบบเจาะรู สวิตช์เร็ว

ยังไม่มีรีวิว
฿13.08-20.65
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 10 ชิ้น
สเปค

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

IRFP150N

ชนิด

ทรานซิสเตอร์

ชื่อแบรนด์

Original

ประเภทแพคเกจ

ผ่านรู

ลักษณะ

20 วัตต์

สถานที่กำเนิด

Guangdong, China

การวิเคราะห์และวิจัยเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์นี้
คำนวณต้นทุนและกำไรขั้นต้น
Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

นำส่งผ่าน

คาดว่าคำสั่งซื้อของคุณจะถูกนำส่งก่อนวันที่กำหนดหรือรับการชดเชยความล่าช้า 5%

การส่งคืนง่าย

ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
IRFP150N
ชนิด
ทรานซิสเตอร์
ชื่อแบรนด์
Original
ประเภทแพคเกจ
ผ่านรู
ลักษณะ
20 วัตต์
สถานที่กำเนิด
Guangdong, China
แพคเกจ/กรณี
TO-247 ทีโอ-247
อุณหภูมิในการทำงาน
มาตรฐาน
Series
มาตรฐาน
รหัสวันที่ผลิต
ใหม่ล่าสุด
ใบสมัคร
การใช้งานสวิตช์และแอมพลิฟายเออร์
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตดั้งเดิม, ODM, ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก
อ้างอิง
การอ้างอิงโยงมาตรฐาน
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย, EDA/CAD, อื่นๆ
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
มาตรฐาน
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)
มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX)
กระแสตัดของตัวสะสมมาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
มาตรฐาน
Power-MAX
มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
มาตรฐาน R1
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
มาตรฐาน R2
FET ประเภท
FET มาตรฐาน
FET คุณลักษณะ
FET มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
มาตรฐาน
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
มาตรฐาน
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
มาตรฐาน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
มาตรฐาน
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
มาตรฐาน
ความถี่
มาตรฐาน
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
มาตรฐาน
รูปเสียงรบกวน
มาตรฐาน
Power-เอาต์พุต
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า
มาตรฐาน
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
มาตรฐาน
VGS (MAX)
มาตรฐาน
IGBT ประเภท
มาตรฐาน
การกำหนดค่า
ตรวจสอบเอกสารข้อมูล
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
มาตรฐาน
อินพุต
มาตรฐาน
NTC Thermistor
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
มาตรฐาน
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
มาตรฐาน
ความต้านทาน-RDS (On)
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
มาตรฐาน
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
มาตรฐาน
Current-Valley (IV)
มาตรฐาน
Current-Peak
มาตรฐาน
ประเภททรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์มาตรฐาน
ประเภท
ทรานซิสเตอร์
หมายเลขชิ้นส่วน
ไออาร์เอฟพี150เอ็น
บริการ
รายการวัสดุ (BOM)
ราคา
กรุณาติดต่อเรา!
คำอธิบาย
ทรานซิสเตอร์กำลัง PNP
ระยะเวลารอคอย
1-3 วันทำการ
แพ็คเกจ
ถาดม้วน กล่องหลอด
ประเภทบรรจุภัณฑ์
ทะลุรู
ประเภทการติดตั้ง
ทะลุรู

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
4X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.009 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค