M30042040108X0PWAR 8 WDFN Exposed Pad Memory ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม
ยังไม่มีรีวิว






คุณลักษณะ
MRAM (แรมแบบแม่เหล็ก)เทคโนโลยี
ไม่ระเหยประเภทหน่วยความจำ
1เอ็มx4การจัดระเบียบหน่วยความจำ
การติดตั้งบนพื้นผิวประเภทการติดตั้ง
M30042040108X0PWARหมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
Originalชื่อแบรนด์
หน่วยความจำขนาด:4 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด:China
ลักษณะ:ไอซี แรม 4 เมกะบิต 108 เมกะเฮิรตซ์ 8DFN
ประเภท บรรจุภัณฑ์:เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°ค ~ 105°ซี
แพคเกจ/กรณี:8-WDFN พร้อมแผ่นระบายความร้อน
Series:-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ:2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา:108 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า:-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:-
รูปแบบหน่วยความจำ:แรม
คุณสมบัติที่สำคัญ
เทคโนโลยี
MRAM (แรมแบบแม่เหล็ก)
ประเภทหน่วยความจำ
ไม่ระเหย
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
1เอ็มx4
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
M30042040108X0PWAR
ชื่อแบรนด์
Original
หน่วยความจำขนาด
4 เมกะบิต
สถานที่กำเนิด
China
ลักษณะ
ไอซี แรม 4 เมกะบิต 108 เมกะเฮิรตซ์ 8DFN
ประเภท บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 105°ซี
แพคเกจ/กรณี
8-WDFN พร้อมแผ่นระบายความร้อน
Series
-
แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ
2.7V ~ 3.6V
ความถี่นาฬิกา
108 เมกะเฮิรตซ์
เขียนรอบเวลา-คำหน้า
-
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
-
รูปแบบหน่วยความจำ
แรม
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
4,000 - 6,999 ชิ้น
฿259.09
>= 7,000 ชิ้น
฿129.88
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ











