find similar
5/5(4)
คะแนนร้านค้า
≤1h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
42%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: ตุรกี/ทูร์เคีย, ลิทัวเนีย, บราซิล, อินเดีย, สหรัฐอเมริกา

ทรานซิสเตอร์ Jeking MOSFET 300V N-Channel QFET N-Channel TO-3PN-3 รุ่น FQA38N30

ยังไม่มีรีวิว
฿202.87
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 10 ชิ้น
สเปค

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

FQA38N30

ชนิด

MOSFET

ชื่อแบรนด์

original brand

ประเภทแพคเกจ

-

ลักษณะ

transistor

สถานที่กำเนิด

Guangdong,China

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
FQA38N30
ชนิด
MOSFET
ชื่อแบรนด์
original brand
ประเภทแพคเกจ
-
ลักษณะ
transistor
สถานที่กำเนิด
Guangdong,China
แพคเกจ/กรณี
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-
Series
-
รหัสวันที่ผลิต
2505
ใบสมัคร
-
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตดั้งเดิม
อ้างอิง
-
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
-
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)
-
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
-
Current-Collector CUTOFF (MAX)
-
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
-
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
---
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
-
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
-
FET ประเภท
-
FET คุณลักษณะ
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
-
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
-
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
-
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-
ความถี่
-
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
-
รูปเสียงรบกวน
-
Power-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า
-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
-
VGS (MAX)
-
IGBT ประเภท
-
การกำหนดค่า
-
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
-
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
-
อินพุต
-
NTC Thermistor
-
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
-
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
-
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
-
ความต้านทาน-RDS (On)
-
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
-
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
-
Current-Valley (IV)
-
Current-Peak
-
ประเภททรานซิสเตอร์
-
ประเภทการติดตั้ง
-
Product Category:
MOSFET
Mounting Style:
Through Hole
Unit Weight:
0.162260 oz
Package / Case:
TO-3PN-3
Part # Aliases:
FQA38N30_NL
Typical Turn-Off Delay Time:
170 ns
Typical Turn-On Delay Time:
80 ns

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค