find similar
Jeking Electronic Limited logo
Jeking Electronic Limited
HK1 ปี
5/5(3)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
46%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: ตุรกี/ทูร์เคีย, ลิทัวเนีย, บราซิล, อินเดีย, สหรัฐอเมริกา

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต Jeking KG N-Channel 30V (D-S) รุ่น SI1308EDL-T1-GE3

ยังไม่มีรีวิว
฿650.20
10-999 ชิ้น
฿513.32
≥1,000 ชิ้น
สเปค

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

SI1308EDL-T1-GE3

ชนิด

MOSFET

ชื่อแบรนด์

original brand

ประเภทแพคเกจ

Surface Mount

ลักษณะ

ทรานซิสเตอร์

สถานที่กำเนิด

Guangdong,China

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
SI1308EDL-T1-GE3
ชนิด
MOSFET
ชื่อแบรนด์
original brand
ประเภทแพคเกจ
Surface Mount
ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์
สถานที่กำเนิด
Guangdong,China
แพคเกจ/กรณี
-, SC-70-3 เอสซี-70-3
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Series
SI1308EDL-T1-GE3 ซีไอ1308อีดีแอล-ที1-จีอี3
รหัสวันที่ผลิต
2505
ใบสมัคร
ต่างๆ
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตดั้งเดิม, ODM, ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก, อื่นๆ
อ้างอิง
-
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย, EDA/CAD, อื่นๆ
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
-
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)
-
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
-
Current-Collector CUTOFF (MAX)
-
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
-
Power-MAX
-
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
-
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
-
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
-
FET ประเภท
-
FET คุณลักษณะ
มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
-
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
-
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
-,132mOhm @ 1.4A,10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
-,1.5V @ 250uA -,1.5 โวลต์ @ 250 ไมโครแอมป์
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-,4.1 nC @ 10 โวลต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-,105 pF @ 15 โวลต์
ความถี่
-
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
-
รูปเสียงรบกวน
-
Power-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า
-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
-
VGS (MAX)
-,±12 โวลต์
IGBT ประเภท
-
การกำหนดค่า
-
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
-
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
-
อินพุต
-
NTC Thermistor
-
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
-
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
-
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
-
ความต้านทาน-RDS (On)
-
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
--
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
-
Current-Valley (IV)
-
Current-Peak
-
ประเภทการติดตั้ง
SMD/SMT, แบบติดตั้งบนพื้นผิว
หมายเลขชิ้นส่วน
SI1308EDL-T1-GE3 ซีไอ1308อีดีแอล-ที1-จีอี3
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
400mW (Ta), 500mW (Tc)

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค