find similar
Jeking Electronic Limited logo
Jeking Electronic Limited
HK1 ปี
#2 ซัพพลายเออร์ขายดีใน ระบบจัดการพลังงาน (PMIC)
5/5(4)
คะแนนร้านค้า
≤1h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
46%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: ตุรกี/ทูร์เคีย, ลิทัวเนีย, บราซิล, อินเดีย, สหรัฐอเมริกา

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

โมดูลทรานซิสเตอร์ IGBT รุ่น Jeking IXGN200N 600V 300A IXGN200N60B3

ยังไม่มีรีวิว
฿1,480.28
100-999 ชิ้น
฿1,204.88
≥1,000 ชิ้น
สเปค

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

IXGN200N60B3

ชนิด

MOSFET

ชื่อแบรนด์

original brand

ประเภทแพคเกจ

-

ลักษณะ

ทรานซิสเตอร์

สถานที่กำเนิด

Guangdong,China

Shipping
Select shipping

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
IXGN200N60B3
ชนิด
MOSFET
ชื่อแบรนด์
original brand
ประเภทแพคเกจ
-
ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์
สถานที่กำเนิด
Guangdong,China
แพคเกจ/กรณี
-, SOT-227-4 โซท-227-4
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Series
-
รหัสวันที่ผลิต
2505
ใบสมัคร
-
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตดั้งเดิม, ODM, ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก, อื่นๆ
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย, EDA/CAD, อื่นๆ
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
-
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)
-
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
-
Current-Collector CUTOFF (MAX)
-, 50 ไมโครแอมป์
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
-
Power-MAX
-
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
-
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
-
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
-
FET ประเภท
-
FET คุณลักษณะ
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
-
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
-
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
-
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-,26 pF @ 25 โวลต์
ความถี่
-
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
-
รูปเสียงรบกวน
-
Power-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า
-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
-
VGS (MAX)
-
IGBT ประเภท
-
การกำหนดค่า
-
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
-,1.5V @ 15V,100A
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
-
อินพุต
-,มาตรฐาน
NTC Thermistor
-,ไม่
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
-
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
-
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
-
ความต้านทาน-RDS (On)
-
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
--
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
-
Current-Valley (IV)
-
Current-Peak
-
ประเภททรานซิสเตอร์
-
ประเภทการติดตั้ง
ผ่านรู, ติดตั้งบนแชสซี
หมายเลขชิ้นส่วน
IXGN200N60B3 ไอเอ็กซ์จีเอ็น200เอ็น60บี3
พาวเวอร์แม็กซ์
830 วัตต์

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค