find similar
Shenzhen Jeking Electronic Corp. logo
Shenzhen Jeking Electronic Corp.
Shenzhen, CN11 ปีผู้จัดจำหน่ายที่มีความเชี่ยวชาญหลายแขนง
4.9/5(1628)
คะแนนร้านค้า
≤3h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
15%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ
การปรับแต่งเล็กน้อย
การปรับแต่งจากแบบ

ตลาดหลัก: ลิทัวเนีย, โปแลนด์, เยอรมนี, เกาหลีใต้, สหรัฐอเมริกา

การคัดกรองซัพพลายเออร์สร้างรายงาน

ทรานซิสเตอร์พาวเวอร์มอสเฟต Jeking IRFP150 รุ่น IRFP150N

ยังไม่มีรีวิว
฿71.72
10-999 ชิ้น
฿44.40
≥1,000 ชิ้น

จำนวน

ความสามารถในการปรับแต่งของซัพพลายเออร์
การปรับแต่งเล็กน้อย
การปรับแต่งจากแบบ
การปรับแต่งจากสินค้าตัวอย่าง
การปรับแต่งเต็มรูปแบบ

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

IRFP150N

ชนิด

มอสเฟต

ชื่อแบรนด์

original brand

ประเภทแพคเกจ

throught หลุม

ลักษณะ

ทรานซิสเตอร์

สถานที่กำเนิด

Guangdong, China

Shipping
Select shipping
ยอดรวมสินค้า
฿0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
รอการต่อรอง
ยอดรวมย่อย
฿0.00

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
IRFP150N
ชนิด
มอสเฟต
ชื่อแบรนด์
original brand
ประเภทแพคเกจ
throught หลุม
ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์
สถานที่กำเนิด
Guangdong, China
แพคเกจ/กรณี
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-
Series
-
รหัสวันที่ผลิต
2505
ใบสมัคร
อิเล็กทรอนิกส์
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตดั้งเดิม, ODM, ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
-
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)
-
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
-
Current-Collector CUTOFF (MAX)
-
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
-
Power-MAX
-
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
-
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
-
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
-
FET ประเภท
เอ็น-แชนแนล
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
100 โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
42เอ (ทีซี)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
36mOhm @ 23A, 10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250uA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
110nC @ 10V 110 นาโนคูลอมบ์ ที่ 10 โวลต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1900pF ที่ 25V
ความถี่
-
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
-
รูปเสียงรบกวน
-
Power-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า
-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
10 โวลต์
VGS (MAX)
±20V
IGBT ประเภท
-
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
-
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
-
อินพุต
-
NTC Thermistor
-
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
-
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
-
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
-
ความต้านทาน-RDS (On)
-
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
-
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
-
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
-
Current-Valley (IV)
-
Current-Peak
-
ประเภททรานซิสเตอร์
-
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
หมายเลขชิ้นส่วน
ไออาร์เอฟพี150เอ็น
เทคโนโลยี
MOSFET (เมทัลออกไซด์)
Vgs (สูงสุด)
±20 โวลต์
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
160 วัตต์ (Tc)
ประเภทการติดตั้ง
ทะลุรู
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°ค ~ 175°ซี (ทีเจ)
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250uA
แพ็คเกจ / เคส
TO-247-3 ทีโอ-247-3
แรงดันขับ (Rds On สูงสุด, Rds On ต่ำสุด)
10 โวลต์
ประจุเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
110 nC @ 10 โวลต์

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค
ผลิตภัณฑ์นี้ได้รับคุณสมบัติ/ใบอนุญาตของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้องในบางประเทศ/ประเทศที่บังคับใช้